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尼康LV150N 紅外顯微鏡

更新時間·▩•╃│:2022-08-24 00:00:00

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簡要描述·▩•╃│:

Nikon LV100ND紅外顯微鏡每個人很有可能已經在使用電子裝置時✘☁☁☁✘,間接遇到並使用了矽晶圓✘↟。 晶圓是一種薄的半導體材料基材✘☁☁☁✘,用於製造電子積體電路✘↟。半導體材料種類多樣✘☁☁☁✘,電子器件中***常用的一種半導體材料是矽 (Si)✘↟。

電子裝置在當今現代科技中已非常普遍✘↟。尼康LV150N 紅外顯微鏡每個人很有可能已經在使用電子裝置時✘☁☁☁✘,間接遇到並使用了矽晶圓✘↟。 晶圓是一種薄的半導體材料基材✘☁☁☁✘,用於製造電子積體電路✘↟。半導體材料種類多樣✘☁☁☁✘,電子器件中***常用的一種半導體材料是矽 (Si)✘↟。矽晶圓是積體電路中的關鍵部分✘↟。它由高純度✘╃、幾乎無缺陷的單晶矽棒經過切片製成✘☁☁☁✘,用作製造晶圓內和晶圓表面上微電子器件的基板✘↟。矽晶圓會積累在生長✘╃、切割✘╃、研磨✘╃、蝕刻✘╃、拋光過程中的殘餘應力✘↟。因此✘☁☁☁✘,矽晶圓在整個製造過程中可能產生裂紋✘☁☁☁✘,如果裂紋未被檢測到✘☁☁☁✘,那些含有裂紋的晶圓就在後續生產階段中產生無用的產品✘↟。裂紋也可能在將積體電路分割成單獨 IC 時產生✘↟。因此✘☁☁☁✘,若要降低製造成本✘☁☁☁✘,在進一步的加工前✘☁☁☁✘,檢查原材料基材的雜質✘☁☁☁✘,裂紋以及在加工過程中檢測缺陷非常重要✘↟。

近紅外一般定義為700-1600nm波長範圍內的光線✘☁☁☁✘,由於矽感測器的上限約為1100nm✘☁☁☁✘,砷化銦鎵(InGaAs)感測器是在近紅外中使用的主要感測器✘☁☁☁✘,可覆蓋典型的近紅外頻帶✘↟。大量使用可見光難以或無法實施的應用可透過近紅外成像完成✘↟。當使用近紅外成像時✘☁☁☁✘,水蒸氣✘╃、霧和矽等特定材料均為透明✘☁☁☁✘,因此紅外顯微檢測被應用於半導體行業的各個方面✘↟。

尼康LV150N 紅外顯微鏡IR專用物鏡可用於透過矽材料成像✘☁☁☁✘,進行半導體檢查和測量✘↟。配備的5X到100X紅外(IR)物鏡✘☁☁☁✘,提供了從可見光波長到近紅外的像差校正✘↟。對於高放大倍率的物鏡✘☁☁☁✘,配備了IR系列帶校正環的物鏡✘☁☁☁✘,校正由樣品厚度導致的像差✘☁☁☁✘,使用一個物鏡即可獲取清晰的影象✘↟。

   
CSP/SIP的非破壞檢查     晶片封裝的不良狀況無損分析
   
倒裝晶片標記點對準檢查  MEMS器件近紅外檢測
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