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尼康LV150N 紅外顯微鏡

更新時間│•:2021-04-14 13:41:22

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簡要描述│•:

Nikon LV100ND紅外顯微鏡每個人很有可能已經在使用電子裝置時✘·•▩,間接遇到並使用了矽晶圓▩·▩╃☁。 晶圓是一種薄的半導體材料基材✘·•▩,用於製造電子積體電路▩·▩╃☁。半導體材料種類多樣✘·•▩,電子器件中***常用的一種半導體材料是矽 (Si)▩·▩╃☁。

電子裝置在當今現代科技中已非常普遍▩·▩╃☁。尼康LV150N 紅外顯微鏡每個人很有可能已經在使用電子裝置時✘·•▩,間接遇到並使用了矽晶圓▩·▩╃☁。 晶圓是一種薄的半導體材料基材✘·•▩,用於製造電子積體電路▩·▩╃☁。半導體材料種類多樣✘·•▩,電子器件中***常用的一種半導體材料是矽 (Si)▩·▩╃☁。矽晶圓是積體電路中的關鍵部分▩·▩╃☁。它由高純度₪▩✘、幾乎無缺陷的單晶矽棒經過切片製成✘·•▩,用作製造晶圓內和晶圓表面上微電子器件的基板▩·▩╃☁。矽晶圓會積累在生長₪▩✘、切割₪▩✘、研磨₪▩✘、蝕刻₪▩✘、拋光過程中的殘餘應力▩·▩╃☁。因此✘·•▩,矽晶圓在整個製造過程中可能產生裂紋✘·•▩,如果裂紋未被檢測到✘·•▩,那些含有裂紋的晶圓就在後續生產階段中產生無用的產品▩·▩╃☁。裂紋也可能在將積體電路分割成單獨 IC 時產生▩·▩╃☁。因此✘·•▩,若要降低製造成本✘·•▩,在進一步的加工前✘·•▩,檢查原材料基材的雜質✘·•▩,裂紋以及在加工過程中檢測缺陷非常重要▩·▩╃☁。

近紅外一般定義為700-1600nm波長範圍內的光線✘·•▩,由於矽感測器的上限約為1100nm✘·•▩,砷化銦鎵(InGaAs)感測器是在近紅外中使用的主要感測器✘·•▩,可覆蓋典型的近紅外頻帶▩·▩╃☁。大量使用可見光難以或無法實施的應用可透過近紅外成像完成▩·▩╃☁。當使用近紅外成像時✘·•▩,水蒸氣₪▩✘、霧和矽等特定材料均為透明✘·•▩,因此紅外顯微檢測被應用於半導體行業的各個方面▩·▩╃☁。

尼康LV150N 紅外顯微鏡IR專用物鏡可用於透過矽材料成像✘·•▩,進行半導體檢查和測量▩·▩╃☁。配備的5X到100X紅外(IR)物鏡✘·•▩,提供了從可見光波長到近紅外的像差校正▩·▩╃☁。對於高放大倍率的物鏡✘·•▩,配備了IR系列帶校正環的物鏡✘·•▩,校正由樣品厚度導致的像差✘·•▩,使用一個物鏡即可獲取清晰的影象▩·▩╃☁。

   
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